Menu

http://klimat-kmv.ru/modules/mod_image_show_gk4/cache/demo.electomontaggk-is-656.jpglink
Электромонтажные работы
http://klimat-kmv.ru/modules/mod_image_show_gk4/cache/demo.santexnikagk-is-656.jpglink
Сантехнические работы
http://klimat-kmv.ru/modules/mod_image_show_gk4/cache/demo.ventilyaciya2gk-is-656.jpglink
Вентиляция
http://klimat-kmv.ru/modules/mod_image_show_gk4/cache/demo.kondicionirovaniegk-is-656.jpglink
Кондиционирование
http://klimat-kmv.ru/modules/mod_image_show_gk4/cache/demo.tepliy-poligk-is-656.jpglink
Системы электрообогрева
http://klimat-kmv.ru/modules/mod_image_show_gk4/cache/demo.solnech-batargk-is-656.jpglink
Энергосберегающие технологии
http://klimat-kmv.ru/modules/mod_image_show_gk4/cache/demo.avtouslugigk-is-656.jpglink
Услуги транспорта
« »
Cart

Content

Breadcrumb

A+ A A-

КПД солнечных элементов и модулей

 Ниже приведена сводная таблица, предоставляющая список солнечных элементов и модулей, имеющих самые высокие значения КПД, подтвержденные исследовательскими центрами, отмеченными в таблице, независимо от фирм-производителей. Руководящим принципом при включении результатов в  таблицу является не только желание обеспечить авторитетное резюме текущего состояния достижений в области фотоэлектричества, но также и стимулирование исследователей и производителей искать независимые подтверждения своих результатов и сообщать о них. Главным критерием внесения результатов в таблицу является то, что все измерения проводились при стандартизированных условиях. Различие сделано только для измерений по трем различным площадям элементов и модулей: общая площадь, площадь апертуры и площадь фотоактивной поверхности. Для элементов и модулей различного типа приняты определенные ограничения минимальной площади поверхности (0.25 cm2 - для тандемного элемента, 1 cm2 - для одного элемента и 800 cm2 - для модуля).

Подтвержденные значения КПД наземных солнечных элементов, подмодулей и модулей, полученные при условиях: АМ 1.5, 1000 Вт/м2, 25° С.

 

Классификация

КПД (%)

Площадь (см2)

Uoc (B)

Isc (мA/см2)

FF (%)

Исследователь
ский центр

Описание

Кремниевые элементы

 

 

 

 

 

 

 

Si (кристаллический)

24.0

4.00 (ap)

0.709

40.9

82.7

Sandia (9/94)

UNSW PERL

Si (среднего размера)

23.7

22.1 (da)

0.704

41.5

81.0

Sandia (8/94)

UNSW PERL

Si (поликристаллический)

18.6

1.0 (ap)

0.636

36.5

80.4

NREL (12/95)

Georgia Tech/HEM

Si (большой поликристаллический)

17.2

100.0 (t)

0.610

36.4

77.7

JQA (3/93)

Sharp (mech. Textured)

Si (тонкий кристаллический)

21.5

4.044 (ap)

0.699

37.9

81.1

Sandia(8/95)

UNSW (47 m m thick)

Si (пленка на подложке)

16.6

0.98 (ap)

0.608

33.5

81.5

NREL (3/97)

AstroPower (Si-Film)

Si (тонкая пленка)

11.0

1.03 (ap)

0.570

25.6

75.5

FhG-ISE

ASE/ISE (30 m m on SiC-gr)

Si (тонкая пленка)

9.4

1.0 (ap)

0.480

26.1

74.8

JQA (2/97)

Kaneka (3.5 m m on glass)

Si (большая тонкая пленка)

16.0

95.8 (ap)

0.589

35.6

76.3

JQA (2/97)

Mitsubishi (77 m m thick)

111-V

 

 

 

 

 

 

 

GaAs (кристаллический элемент)

25.1

3.91 (t)

1.022

28.2

87.1

NREL (3/90)

Kopin. AlGaAs window

GaAs (элемент с тонкой пленкой)

23.3

4.00 (ap)

1.011

27.6

83.8

NREL (4/90)

Kopin. 5 m m CLEFT

GaAs (подмодуль)

21.0

16.0 (t)

4.04

6.6

80.0

NREL (4/90)

Kopin. (4 SLEFT cells)

GaAs (поликристаллический)

18.2

4.011 (t)

0.994

23.0

79.7

NREL (11/95)

RTI. Ge substrate

InP (кристаллический элемент)

21.9

4.02 (t)

0.878

29.3

85.4

NREL (4/90)

Spire. Epitaxial

Тонкие поликристаллические пленки

 

 

 

 

 

 

 

CdTe (элемент)

16.0

1.0 (ap)

0.840

26.1

73.1

JQA (3/97)

Matsushita 3.5 m m CSS

CdTe (подмодуль)

10.6

63.8 (ap)

6.565

2.26

71.4

NREL (2/95)

ANTEC

CuInGaSe2 (элемент)

16.4

1.025 (t)

0.678

32.0

75.8

NREL (11/94)

NREL CIGS on glass

CuInGaSe2 (подмодуль)

14.2

51.7 (ap)

6.808

3.1

68.3

JQA (10/96)

Showa Shell

Аморфный Si

 

 

 

 

 

 

 

a-Si (элемент)2

12.7

1.0 (da)

0.887

19.4

74.1

JQA (4/92)

Sanyo

a-Si (подмодуль)

12.0

100.0 (ap)

12.5

1.3

73.5

JQA (12/92)

Sanyo

Многослойные элементы

 

 

 

 

 

 

 

GaInP/GaAs

30.3

4.00 (t)

2.488

14.22

85.6

JQA (9/96)

Japan Energy (monolithic)

GaAs/CuInSe (тонкая пленка)

25.8

4.00 (t)

 

 

 

NREL (11/89)

Kopin/Boeing (4-terminal)

a-Si/CuInGaSe (тонкая пленка)

14.6

2.40 (ap)

 

 

 

NREL (6/88)

ARCO (4-terminal)

a-Si/a-Si/a-SiGe

13.5

0.27 (da)

2.375

7.72

74.4

NREL (10/96)

USSC (monolithic)

Модули

 

 

 

(A)

 

 

 

Si (кристаллический)

22.7

788 (da)

5.60

3.93

80.3

Sandia (9/96)

UNSW/Gochemann

Si (поликристаллический)

15.3

1017 (ap)

14.6

1.36

78.6

Sandia (10/94)

Sandia/HEM

CuInGaSSe (большой)

11.1

3665 (ap)

26.01

2.32

67.4

NREL (4/97)

Siemens Solar

CdTe (большой)

9.2

3366 (ap)

45.59

1.10

62.1

NREL (4/97)

Golden Photon

CdTe (очень большой)

9.1

6728

95.0

0.966

66.8

NREL (4/96)

Solar Cells, Inc.

a-Si/a-SiGe/a-SiGe (тандемный)

10.2

903 (ap)

2.32

6.47

61.2

NREL (12/93)

USSC

a-Si - аморфный кремний/примеси водорода

(ap) - площадь апертуры, (t) - общая площадь, (da) - площадь фотоактивной поверхности

Информация подготовлена к.т.н. Каргиевым В.М.

Климат-кмв

357600; Ставропольский край; г.Ессентуки
' (962) 741-73-77 - отдел продаж, интернет-магазин
' (928) 3-640-640 - тех. отдел, консультации

E-mail : Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Написать нам

Яндекс.Метрика

 

Кондиционеры

Продажа, ремонт и сервисное обслуживание кондиционеров и сплит-систем в Кисловодске, Ессентуках, Пятигорске и на КМВ. Установка кондиционеров и сплит-систем в Кисловодске, Ессентуках, Пятигорске и на КМВ.